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在發(fā)展中求生存,不斷貼心,以良好信譽(yù)和科學(xué)的管理促進(jìn)企業(yè)迅速發(fā)展
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首頁(yè)-技術(shù)文章-超寬禁帶和寬禁帶及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)的橢偏和FTIR反射光譜學(xué)研究

超寬禁帶和寬禁帶及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)的橢偏和FTIR反射光譜學(xué)研究

更新時(shí)間:2026-06-17      點(diǎn)擊次數(shù):118


報(bào)告背景

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REPORT BACKGROUND


以Si、Ge元素為代表的第一代半導(dǎo)體材料及以GaAs, GaP, InP等化合物為代表的第二代半導(dǎo)體材料,隨著科學(xué)技術(shù)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,已不能滿(mǎn)足現(xiàn)在電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要求。以SiC、III-族氮化物、ZnO寬帶隙半導(dǎo)體為代表的的第三代化合物半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展起來(lái)。超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁(AlN)和氧化鎵(GaO)基材料, 亦稱(chēng)第四代半導(dǎo)體, 對(duì)其研究和探索正于熱點(diǎn)和前沿

2026年6月5日上午,美國(guó)肯尼索州立大學(xué)兼職教授, 中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)榮退教授、廣西大學(xué)杰出教授馮哲川,受邀為武漢頤光科技有限公司的工程師們帶來(lái)《超寬禁帶和寬禁帶及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)的橢偏和FTIR反射光譜學(xué)研究》的主題報(bào)告。介紹馮教授團(tuán)隊(duì)多年來(lái)的應(yīng)用橢偏光譜于AlN和GaO基與傅里葉變換紅外(FTIR)反射光譜學(xué)于氮化鎵和碳化硅外延材料以及II-VI和III-V半導(dǎo)體化合物和結(jié)構(gòu)的研究和成果。



報(bào)告內(nèi)容

REPORT CONTENT

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馮教授詳細(xì)而親切地介紹了團(tuán)隊(duì)多年來(lái)應(yīng)用橢偏光譜對(duì)AlN和GaO薄膜材料的研究與成果。例:圖1和圖2分別展示了在不同晶面藍(lán)寶石襯底上磁控濺射AlN薄膜樣件,和藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)Ga2O3薄膜樣件的橢偏分析結(jié)果。

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圖1 不同晶面藍(lán)寶石襯底上磁控濺射AlN薄膜樣件

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圖2 藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)Ga2O3薄膜樣件

同時(shí),馮教授介紹了傅里葉變換紅外(FTIR)反射光譜學(xué)于氮化鎵和碳化硅外延材料以及II-VI和III-V半導(dǎo)體化合物和結(jié)構(gòu)的研究和成果。例:圖3展示藍(lán)寶石襯底上MOCVD制備GaN薄膜樣件,F(xiàn)TIR分析結(jié)果與TEM觀(guān)察結(jié)果高度一致。

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圖3 藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)GaN薄膜樣件

結(jié)果說(shuō)明,紅外光譜法作為一種非破壞性的表征方法,能有效分析氮化鎵和碳化硅及III-V與II-VI化合物和其他材料,極有推廣價(jià)值。其定量分析能預(yù)測(cè)材料的光學(xué)、電學(xué)輸運(yùn)特性及熱光效應(yīng),為改善材料性能、優(yōu)化高溫高功率光電器件設(shè)計(jì)提供基礎(chǔ)參考。

主題報(bào)告結(jié)束后,馮教授與武漢頤光科技有限公司的工程師們進(jìn)行了答疑與技術(shù)交流。

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圖4 交流現(xiàn)場(chǎng)照片



嘉賓介紹

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GUEST INTRODUCTION



馮哲川教授系前廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院杰出教授(2015.3-2020.12),中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)光電所暨電機(jī)系(2003.8-2015.1)退休教授,獲得學(xué)士/碩士(1968/1981,北京大學(xué))、博士(1987,匹茲堡大學(xué)-美國(guó)),1988-2003工作于Emory大學(xué)(美),新加坡國(guó)立大學(xué),EMCORE公司,材料工程研究院(新加坡),喬治亞理工學(xué)院。2021年在美國(guó)亞特蘭大家中建立Science Exploring Lab(科學(xué)探索實(shí)驗(yàn)室),2022年起加入Kennesaw State University 電機(jī)與計(jì)算機(jī)工程系擔(dān)任兼職(adjunct)教授及進(jìn)行教學(xué)和研究并指導(dǎo)研究生/大學(xué)生至今,今夏在華作2個(gè)月訪(fǎng)問(wèn)至7月中。

馮教授已出版了半導(dǎo)體領(lǐng)域的14本專(zhuān)書(shū),12 本編輯及2本寫(xiě)作書(shū)“新興半導(dǎo)體和氧化物的拉曼散射",“先進(jìn)半導(dǎo)體與量子結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光光譜學(xué)",2024 及今年已出版;已發(fā)表過(guò)約 900 篇學(xué)術(shù)論文(超過(guò)500多篇SCI)并被引用9400 多次。從事于化合物和寬能隙半導(dǎo)體研究40 多年,成果多且杰出。2013年榮膺 SPIE(國(guó)際光學(xué)與光子工程學(xué)會(huì)) Fellow(會(huì)士)至今。他受邀擔(dān)任過(guò)華中科技大學(xué)、南開(kāi)大學(xué)、四川大學(xué)、南京工業(yè)大學(xué)、華南師范大學(xué)、天津師范大學(xué)的訪(fǎng)問(wèn)客座教授。

馮哲川教授在廣西大學(xué)任職期間曾購(gòu)買(mǎi)武漢頤光科技有限公司穆勒矩陣光譜橢偏儀,是頤光科技最早的客戶(hù)之一, 10多年一直與頤光科技保持緊密聯(lián)系,在橢偏測(cè)量表征及相關(guān)應(yīng)用開(kāi)展了諸多合作,發(fā)表了多篇有影響力的論文及成果。馮教授的蒞臨交流,讓我們倍感榮幸,也深深欽佩到他做科研工作的嚴(yán)謹(jǐn)和投入。馮教授不僅是我們尊敬的用戶(hù),更是我們始終敬重的良師益友。

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圖5 廣西大學(xué)光電子材料與探測(cè)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室




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