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武漢頤光科技有限公司
武漢頤光科技有限公司(WuhanEopticsTechnologyCo.,Ltd.)是國(guó)內(nèi)專業(yè)從事橢偏儀以及光學(xué)納米測(cè)量設(shè)備研發(fā)、制造與銷售的高新技術(shù)企業(yè),公司由多位具有二十多年偏振光學(xué)測(cè)量經(jīng)驗(yàn)的專家聯(lián)合創(chuàng)辦,與華中科技大學(xué)緊密合作,是國(guó)內(nèi)橢偏光學(xué)儀器領(lǐng)域頗具優(yōu)勢(shì)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。公司注冊(cè)于武漢東湖國(guó)家自主創(chuàng)新示范區(qū),立足光谷,面向全球,為科研和工業(yè)用戶提供儀器、軟件、服務(wù)等綜合解決方案。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體、光伏太陽能、平板顯示、LED照明、存儲(chǔ)、生物、醫(yī)藥、化學(xué)、電化學(xué)、光學(xué)鍍膜、光刻材...
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技術(shù)資訊

  • 超寬禁帶和寬禁帶及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)的橢偏和FTIR反射光譜學(xué)研究

    報(bào)告背景REPORTBACKGROUND以Si、Ge元素為代表的第一代半導(dǎo)體材料及以GaAs,GaP,InP等化合物為代表的第二代半導(dǎo)體材料,隨著科學(xué)技術(shù)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,已不能滿足現(xiàn)在電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要求。以SiC、III-族氮化物、ZnO寬帶隙半導(dǎo)體為代表的的第三代化合物半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展起來。超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁(AlN)和氧化鎵(GaO)基材料,亦稱第四代半導(dǎo)體,對(duì)其研究和探索正于熱點(diǎn)和前沿。2026年6月5日上午,美國(guó)肯尼索州立大學(xué)兼職教授,中國(guó)臺(tái)灣大學(xué)榮退教授、...

    2026

    6-17

  • 橢偏儀在光學(xué)鍍膜中的應(yīng)用

    Part1光學(xué)鍍膜行業(yè)背景介紹光學(xué)鍍膜是現(xiàn)代光學(xué)產(chǎn)業(yè)的核心支撐技術(shù),它依托真空濺射、蒸發(fā)鍍膜、原子層沉積(ALD)等精密工藝,在玻璃、樹脂、晶體及顯示面板等基材表面制備多層納米級(jí)薄膜,通過精確調(diào)控膜層厚度、折射率與堆疊結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)增透、減反、高反、濾光、隔熱、抗眩光等關(guān)鍵光學(xué)功能。其應(yīng)用覆蓋消費(fèi)電子、車載光學(xué)、半導(dǎo)體、激光器件、AR/VR、航空航天及醫(yī)療影像等領(lǐng)域,既是現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基礎(chǔ),也是提升制造產(chǎn)品性能與附加值、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心環(huán)節(jié)。因此,光學(xué)鍍膜擁有重大的產(chǎn)業(yè)...

    2026

    6-17

  • 一文了解光譜橢偏儀:從原理到應(yīng)用

    在材料科學(xué)與光學(xué)表征領(lǐng)域,光譜橢偏儀作為一種非侵入式光學(xué)測(cè)量設(shè)備,憑借獨(dú)特的偏振光分析原理,成為薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)及材料微結(jié)構(gòu)表征的核心工具。它避開傳統(tǒng)測(cè)量方法破壞樣品、精度有限的短板,通過多波長(zhǎng)偏振光與樣品的相互作用,實(shí)現(xiàn)對(duì)微觀尺度結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)探測(cè),廣泛應(yīng)用于多個(gè)前沿領(lǐng)域。光譜橢偏儀的核心原理基于光的偏振特性與菲涅爾光學(xué)理論。儀器光源發(fā)出的光束經(jīng)偏振調(diào)制后,形成特定偏振狀態(tài)的光線,以固定角度入射至樣品表面。當(dāng)偏振光在樣品表面反射或透射時(shí),會(huì)因材料的光學(xué)性質(zhì)與薄膜結(jié)構(gòu)改變偏振狀...

    2026

    6-10

  • 橢偏儀在ALD制備SnO2薄膜中的應(yīng)用

    鈣鈦礦太陽能電池作為新一代光伏技術(shù),具備低成本、可柔性、制備簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì),目前實(shí)驗(yàn)室光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)已突破26%,成為下一代太陽能電池的核心研究方向。電子傳輸層是電池器件中的重要組成部分,SnO?為當(dāng)前較優(yōu)電子傳輸層材料之一,相較傳統(tǒng)TiO?,SnO?具有高電子遷移率、能帶匹配性好、低溫制備()、光穩(wěn)定性佳等優(yōu)勢(shì),可見光透過率80%,帶隙3.6-4.5eV。圖1.SnO?電子傳輸層在鈣鈦礦電池中的結(jié)構(gòu)定位SnO?電子傳輸層的制備方法分為化學(xué)法和物理法兩大類,主要包括旋涂法...

    2026

    6-3

  • 橢偏儀精準(zhǔn)“把脈”AlN晶體質(zhì)量:帶隙、無序度與表面形態(tài)一覽無余

    馮哲川教授團(tuán)隊(duì)發(fā)表了關(guān)于物理氣相傳輸法(PhysicalVaporTransport,PVT)制備AlN晶體的深入研究。本研究巧妙地綜合利用可變角度光譜橢偏儀、拉曼光譜與原子力顯微鏡等表征手段,揭示了c面與m面AlN晶體的本質(zhì)特性差異。其中,橢偏儀作為核心表征手段,為評(píng)估晶體質(zhì)量提供了關(guān)鍵、多維度的量化證據(jù)。研究成果以“Temperature-DependentRamanScatteringandCorrelativeInvestigationofAlNCrystalsPre...

    2026

    6-3

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